Qualcomm presenta el Snapdragon 835
Cada año en el CES, Qualcomm tiene el hábito de presentar su nuevo SoC de alto nivel. En 2017, la compañía llega con su Snapdragon 835 que probablemente estará en los flagship de 2017.
Después de los 820 y 821 llega el 835. Qualcomm aprovechó el CES para presentar en detalle su futuro SoC de alta gama anunciado en noviembre. Varias nuevas características importantes a tener en cuenta, para empezar, el Snapdragon 835 es el primer chipset fabricado de forma masiva usando un proceso FinFET de 10nm. Además de reducir el consumo y el calentamiento, lo que permite mejorar el rendimiento.
El chip de Qualcomm incorpora 8 núcleos, cuatro de los cuales funcionarán a 2,45 GHz y los cuatro restantes a 1,9 GHz. La parte gráfica Adreno 540 soporta Vulkan, DirectX 12 y OpenGL ES 3.2. Estas pequeñas joyas son capaces de manejar pantallas de 4 K a 60 fotogramas por segundo. El ISP (para el tratamiento de la imagen) puede manejarla en los sensores 32 MPX, o 2 x 16 para los dispositivos de sensor doble.
La parte ‘radio’ cuenta particularmente con el apoyo de Wi-Fi «ad» (sucesor de la actual «ac»), Bluetooth 5 y especialmente el 4G Cat. 13 el cual permite en teoría alcanzar una velocidades de 1 Gb/s de download y 150 de upload. El procesador llegará al mercado durante el segundo trimestre de 2017, lo que coincide con el lanzamiento del Galaxy S8 y el de sus principales competidores en la primavera.
Image: Qualcomm.
De izquierda a derecha: Snapdragon 820, Snapdragon 835, un centavo americano (19,05 mm de diámetro, 1 centavo de euro mide 16,25 mm de diámetro).
